功能描述：MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN

制造商：infineon technologies

系列：HEXFET?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14A（Ta），75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：77nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3001pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：4.4W（Ta），125W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 45A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PQFN（5x6）

封装/外壳：8-PowerTDFN

标准包装：1

AUIRFN8401TR

AUIRFN8403TR

AUIRFN8403TRPBF

AUIRFN8403TRPBF.

AUIRFN8405TR

AUIRFN8458TR

AUIRFN8459TR

AUIRFP064N

AUIRFP1405

AUIRFP2602